喜报 | 立琻半导体《GaN-on-Si Single-chip Full-color Micro-LED Display》荣获ICDT 2026“杰出论文奖”

发布时间：2026年04月08日

      近日，2026国际显示技术大会（ICDT 2026）在重庆圆满落幕。本届大会由国际信息显示学会（SID China）主办，汇聚全球显示领域顶尖专家与企业，共同探讨行业前沿技术与发展趋势。会上，苏州立琻半导体有限公司与中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所（SINANO）联合发表的论文《GaN-on-Si Single-chip Full-color Micro-LED Display》（硅基氮化镓单芯全彩Micro-LED显示），从众多高水平研究中脱颖而出，荣获大会颁发的 “杰出论文奖”。

      该奖项由国际信息显示学会（SID）权威评定，旨在表彰在全球显示技术领域具有突出创新性与重要影响力的研究成果。本次获奖，标志着立琻半导体在Micro-LED这一前沿显示技术上获得了国际性的高度认可。

      获奖论文重点展示了一种基于硅基氮化镓（GaN-on-Si）材料的单芯全彩Micro-LED显示技术—LEKIN-SiMiP®显示技术。该技术彻底规避了巨量转移工序，工艺链条短，大幅提升了直通良率，降低了制造成本，对推动商业直显大屏、车载显示、可穿戴设备等高端应用发展具有重要意义。

      立琻半导体始终专注于化合物半导体光电子芯片的创新与产业化。此次获奖，是公司坚持自主研发、深耕核心材料与芯片技术的又一重要成果体现。未来，立琻半导体将继续协同生态伙伴，攻克关键技术瓶颈，共同推进Micro-LED等创新显示技术的成熟与落地，为全球显示产业的高质量发展贡献力量。